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产品分类
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东芝场效应管 TK14G65W5
型号/规格：
TK14G65W5
品牌/商标：
TOSHIBA（东芝）
封装形式：
TO-262-3
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
直插式
包装方式：
卷带编带包装
功率特征：
中功率
相关产品
产品信息
| 品种类 | MOSFET | 配置: | Single |
| 制造商: | Toshiba | 通道模式: | Enhancement |
| RoHS: | 详细信息 | 封装: | Reel |
| 技术: | Si | 商标: | Toshiba |
| 安装风格: | SMD/SMT | 下降时间: | 7 ns |
| 封装 / 箱体: | TO-262-3 | 高度: | 10.4 mm |
| 通道数量: | 1 Channel | 长度: | 10 mm |
| 晶体管极性: | N-Channel | Pd-功率耗散: | 130 W |
| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V | 上升时间: | 40 ns |
| Id-连续漏极电流: | 13.7 A | 系列: | TK14G65W |
| Rds On-漏源导通电阻: | 250 mOhms | 工厂包装数量: | 1000 |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V | 典型关闭延迟时间: | 110 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | 典型接通延迟时间: | 90 ns |
| Qg-栅极电荷: | 40 nC | 宽度: | 4.5 mm |
| 工作温度: | - 55 C | 单位重量: | 4 g |
| 工作温度: | + 150 C |
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